阿斯麦CEO：中国光刻机技术落后10-15年，如果没有我们的EUV极紫外刻帮助，中国几乎不能造出来3-5nm工艺，同时表示断供EUV，就是为了防止中国获得先进技术。 彼得·温宁克的判断建立在具体技术对比之上。极紫外光刻使用13.5纳米波长光束，通过多层镜面反射和激光产生等离子体光源，实现极高精度曝光。阿斯麦从2000年代投入数百亿欧元，与蔡司、赛默飞深度合作，解决了光源稳定性、镜面涂层损耗等一系列难题。系统包含超过10万个部件，全球5000多家供应商协作，才在2010年代实现批量交付。目前只有台积电、三星、英特尔等少数企业能大规模使用EUV设备制造5纳米以下芯片。 中国企业目前主要掌握深紫外光刻，支持28纳米及以上节点，但在极紫外领域，光源功率、连续运行稳定性和光学系统精度均落后明显。行业报告显示，独立攻克EUV核心技术需要长期数据积累和工程验证，中国团队虽在激光等离子体方向持续实验，但距离量产级可靠性仍有较大距离。温宁克认为，没有外部设备支持，3到5纳米工艺短期内难以突破。 从2019年开始，荷兰政府受美国压力影响，暂停向中国发放EUV出口许可，阿斯麦随之停止相关设备交付，仅能提供旧款深紫外机型。2023年，管制进一步扩大到部分先进深紫外设备，直接影响中国芯片工厂向更精细节点升级。温宁克在多个场合表示，董事会评估后选择严格遵守出口规定，这种决定源于地缘政治考量，目的是维持全球半导体产业链现有格局。 英特尔、三星等客户持续排队采购EUV系统，凸显阿斯麦在高端市场的垄断地位，同时也加剧了客户对单一供应商的依赖。公司加大产能投资，但对中国订单保持严格审核。温宁克强调，断供政策短期内有效限制了技术转移，但长期可能刺激中国加速本土创新。 中国半导体产业在外部限制下调整发展路径。成熟制程自给率从较低水平逐步提升到40%以上，覆盖汽车电子、消费电子等领域。先进节点依赖进口的局面短期难改，中国企业转而大力发展芯粒封装技术，利用28纳米芯片通过多芯片集成实现接近7纳米性能的应用。这种方案已在服务器、人工智能计算领域逐步推广，为突破壁垒争取宝贵时间。 温宁克在退休前多次重申，技术差距短期难以消除，美中芯片争端更多基于意识形态分歧，可能延续数十年。阿斯麦在中国开展业务已超过30年，对当地员工和客户负有责任，曾向政界表达避免规则过于严苛的意见。新任管理层接手后，公司继续面对出口压力，但温宁克的评估保持不变：外部约束下，中国芯片产业正在探索更具韧性的独立道路。 这场围绕EUV的博弈远未结束。阿斯麦的垄断地位让其成为地缘角力的焦点，而中国则在压力中寻找弯道超车的机会。技术壁垒能否真正持久？本土创新又会带来哪些意外突破？这些问题仍在持续发酵。
