哈工大7nm光刻机技术突破,为何国产7nmEUV光刻机仍未见踪影?

admin 阅读:5 2024-12-24 05:25:38 评论:0

近几年,我国在半导体产业上发展迅猛,各项核心技术实现突破。以中芯国际为例,在CEO梁孟松的带领下,中芯国际已经实现28nm芯片的量产,并实现了7nm芯片技术的突破。

而在芯片封装技术,长电科技也实现了4nm芯片封装。与此同时,概伦电子也在芯片设计上实现3nm工艺节点的突破……

不可否认,这几年我们在芯片技术的突破有目共睹,但我们能够生产的芯片仅有14nm水准,离7nm芯片还有不小的距离。

据悉,国内能自主生产的先进工艺是14nm水准,比如中芯国际此前生产麒麟710a芯片就是14nm芯片。

为什么会出现这种情况呢?归根结底,还是国缺少生产芯片的关键设备光刻机。截止目前为止,我国从ASML采购了大量DUV光刻机,但EUV光刻机,ASML并没有向我国提供。

而EUV光刻机是生产7nm芯片的关键设备,一旦我们拥有这种光刻机,那么我国实现7nm芯片生产的进程将会加快。

哈工大7nm光刻机技术实现突破

早在2018年的时候,中芯国际就从ASML采购了一台EUV光刻机。由于老美从中作梗,这台EUV光刻机没有正式发货。

为了早日实现国产7nmEUV光刻机的自主化,国内半导体公司和相关团队在光刻机技术上深入研究,实现了光刻机技术的多项突破。

最引人瞩目的当属哈工大团队研发的‘高速超精密激光干涉仪’,这款激光干涉仪用于28nm—350nm工艺光刻机集成研制和性能测试,对28nm光刻机的研制提供了技术支撑,并对7nmEUV光刻机提供技术储备。

这个消息传来后,整个网络都沸腾了,很多人都高呼:我们实现了7nm光刻机技术都突破,国产7nmEUV光刻机将会研制成功。

1个多月过去了,我们并没有看到国产7nm光刻机的相关信息,似乎哈工大的7nm技术突破只是一个噱头,这种现象让人感到奇怪。

为什么会出现这种现象?

难道哈工大7nm光刻机技术只是一个噱头,准确的讲并不是。哈工大团队是这样形容高速超精密激光干涉仪:能为28nm—350nm光刻机提供技术支撑,为7nm光刻机提供技术储备。

什么叫技术支撑呢?那就是我国研制28nm光刻机的时候,高速超精密激光干涉仪能为这种光刻机提供集成和测试的技术支撑,仅此而已。但一款28nm光刻机的研制涉及的技术多达几千、甚至上万个,靠1、2项技术支撑并不能解决问题,因此高速超精密激光干涉仪的出现并不能表明我们有实力研发28nm光刻机。

实际情况是我国能够生产的光刻机水准是90nm,离28nm光刻机还有不小的差距。

什么叫技术储备呢?和技术支撑相比,技术储备就显得有些‘不给力’了。所谓技术储备是这种技术还不能马上看到效果,而是这种技术能为更高端技术做铺垫,在这个基础上实现技术突破。

所以哈工大团队研发的高速超精密激光干涉仪能为28nm光刻机提供技术支撑,却只能为7nm光刻机做技术储备,这就容易理解了。

7nmEUV光刻机有多难?

很多人认为靠我们自己就可以实现7nmEUV光刻机的研制成功,其实这是一种不切实际的想法。

客观的讲,这个世界没有单独一个国家可以实现7nmEUV光刻机的研制成功,我国做不到,老美也是如此。光刻机被誉为‘半导体工业皇冠的明珠’,这不是说着玩的。

据悉,荷兰ASML生产一台EUV光刻机,这需要全球6000多家科技公司提供10万个器件,这些公司包括蔡司、德州仪器、尼康等,并且这里面的任何一家公司提供了器件工艺都达到业内顶尖水准。

由此可见,想要研制一款7nmEUV光刻机的难度非常之大,这需求全球科技公司通力合作才能完成。

写在最后

近几年,我国的半导体公司受到老美等国家的打压,包括华为、中芯国际在内的半导体公司的业务都受到较大的影响。

面对这个局面,国内很多网友都希望国产光刻机能够早日实现自主生产,并希望我们可以研制成功7nmEUV光刻机。

这些网友的想法是好的,但所有的盼望都建立在实事求是的基础上,因此我们不能因为1、2项技术的突破就沾沾自喜,认为我们就可以研制成功7nmEUV光刻机。

国产光刻机之路任重道远,我们不能看不清现实,要脚踏实地的发展。

而在今天,相同的情况也发生在我国另一个领域,那就是螺丝刀界的“华为”,以前螺丝刀就是被这些外国品牌所垄断,随便一台螺丝刀都是几千块钱!在中国螺丝刀市场被国外牌子垄断时,中国一家年轻的企业站了出来,并且打破了这种情况——NDIMOA,带领了一群中国科研人员,上线了一款"50合1螺丝刀"!

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