中国量子芯片震撼问世，是否预示着硅基时代的终结？

央视新闻通过直播镜头，向全球展示中国的量子芯片生产线，该生产线至今已生产出超过1500批次的流片，这意味着国产量子芯片离全面商用又近了一步。

据报道指出国产量子芯片研发时间长达6年，与世界研发量子芯片基本同步，目前中国已成功研制的量子芯片为全球集成规模最大、集成元件最多的量子芯片，可实现2500个量子比特的性能。

这颗全球最先进的量子芯片已搭载于第三代超导量子计算机“本源悟空”之上，拥有72个超导量子比特的计算性能，已居于全球前列。

量子芯片的优势在于可以用当前的DUV光刻机生产，性能却可以比硅基芯片提升千倍，而功耗却只有硅基芯片的千分之一，如此可以彻底颠覆现有的硅基芯片技术，改变全球芯片市场的格局。

国产量子芯片的推进对于中国芯片的发展具有重大意义，由于众所周知的原因，中国芯片的生产如今受制于由欧美控制的EUV光刻机，难以量产5纳米及更先进的工艺，而量子芯片无需先进的EUV光刻机，如此国产芯片将摆脱光刻胶的桎梏。

量子芯片、光子芯片等已被视为替代硅基芯片的先进芯片技术，为此中国、美国都在积极推进这些先进芯片技术的发展，而中国在量子芯片技术方面的突破，代表着中国芯片将真正实现弯道超车。

中国在先进芯片技术方面的研发是诸多方面同时推进，在第三代、第四代芯片材料方面已有所突破，这些先进芯片材料对于中国芯片的发展具有极为重要的意义。

对于量子芯片来说，超导低温材料就非常关键，而国产超导低温材料的研发成功，为国产量子芯片的商用化提供了有力的支持。

本源量子还充分考虑了芯片产业链自主研发的重要性，从量子冰箱、量子芯片光刻机等都实现了国产化，这些都已无需依赖进口设备，真正实现完全自主。

现有的硅基芯片技术已逐渐接近瓶颈，全球技术实力最强的台积电量产3纳米就面临良率已难以达到九成的水平，第一代3纳米工艺只能达到55%，第二代3纳米也无法达到九成的良率，更先进的2纳米能否如期量产面临变数。

硅基芯片依靠现有的技术途径还面临着成本越来越高的困境，光刻机企业ASML的2纳米EUV光刻机售价高达3.8亿美元，是第一代EUV光刻机的3倍，更是7纳米及以上工艺的DUV光刻机的8倍以上，昂贵的成本导致这些先进芯片工艺难以普及。

这也促使拥有先进芯片技术的美国推进研发量子芯片、光子芯片等技术，而中国先行一步，将代表着中国可望在这些先进芯片技术上居于全球领先地位，不仅摆脱欧美硅基芯片技术的限制，还真正实现弯道超车。

事实说明了拥有最多技术人才的中国在芯片技术创新方面误会受制于西方，相反在西方的刺激下，中国多种技术推进，总会找到突破的方向，形成自己的技术路径，建立完全自主化的芯片产业链，到那时候西方再也无法依靠他们掌控的芯片技术阻碍中国芯片的赶超。