重磅！根据美国彭博社最新调查，华为和中芯国际提交了自对准四重图形刻蚀（SAQP）技术专利，也就是多重曝光芯片制造工艺，在国家知识产权局也查到了华为最新的这项专利（专利号 CN117751427A），这或许意味着中芯国际不过多久就可以实现 5 纳米芯片生产！ 自对准四重图形刻蚀具体什么意思呢？传统的芯片制造严重依赖复杂且精确的掩膜图案来蚀刻电路，然而，随着半导体工艺的不断复杂，面临的挑战越发严峻，成本也越来越高。 例如，为了生产 2nm 级工艺芯片，ASML 研发了 0.55NA 的新一代 EUV 极紫外光刻机，售价高达约 4 亿美元。在外部条件的严重限制下，以华为为首的国内半导体企业已无法获得这些尖端工艺，必须寻找其他途径，如先进封装技术和多重曝光技术。 简言之，多重曝光将芯片电路掩膜图案的蚀刻分为多个步骤进行，可以利用相对落后的技术和设备，实现与更先进工艺相似甚至更优的效果，即使用 7nm 设备制造出 5nm 芯片。#华为芯片##中芯国际##光刻机##华为现在能做7纳米5纳米芯片吗?#
