Ascend910C量产 2025年第一季度开始量产Ascend910C，已向中芯发送样品。Ascend910C采用12nm工艺制程，单卡算力较前代提升40%，功耗降低15%，可支持千亿参数大模型训练。910C良品率已达到40%，产线实现盈利。 服务器端芯片由2颗水平放置芯片封装而成，加上6颗HBM，采用2.5D先进封装 ，CoW放在盛合晶微，OS放在江阴长电。盛合量产用在昇腾GPU，4个版本，一片可以切32颗，RDL 两层，良率比较高，2024年产能3000片/月。长电、通富有2.5D技术但是进度比较慢。 昇腾搭载的HBM2e 64GB，是现货渠道或是离岸代理采购HBM颗粒，进而再适配控制器、适配I/O和逻辑封装。通富微电与华为海思联合开发2.5D先进封装方案，将HBM存储堆叠良率提升至98%。赛微电子MEMS传感器产线完成智能化改造，可为AI芯片提供高精度环境感知模组。 中芯国际在北京（北方创新中心）和天津布局先进制程产线，N+2工艺的昇腾将奠定我国AI起飞的基础。
