北大造出“史上最强芯片”，突破硅基极限，把台积电甩在身后 去年，英特尔高调展示出了自家的埃米级晶圆（1埃米=0.1纳米），和同为晶圆代工巨头之一的台积电一起将芯片竞赛拉到了埃米级水平。但是，因为硅基障碍的存在（隧穿效应和摩尔定律），以硅为基材的芯片体积迟早达到极限，而中方却绕开了这个极限，对英特尔和台积电实现了“变道”超越。 据《南华早报》3月11日报道，北京大学的专项研究小组另辟蹊径，使用了一种新材料制作二维晶体管，成功突破了芯片性能极限。 其实近几年，芯片巨头们都在研究使用新材料绕过硅基障碍来制作晶体管，有的也确实拿出了成品，但不是性能低下，就是体积不符合要求，而北大的这个小组拿出的产品却不一样。 据小组领导彭海林教授表示，他们设计生产的二维晶体管运行速度要比英特尔和台积电的3纳米硅基片快上40％，性能损耗也低了10％。在对手都在“卷”更小体积的硅基产品时，我们已经在另一条赛道上“抢跑”了。 在面对美韩等拥有尖端芯片技术的国家制裁下，寻找全新的芯片发展道路是十分重要的，如果我们能在新赛道甩开对手，就可以更早地进入芯片研究的新境界，掌握科技的制高点和未来发展的主动权。#春日生活打卡季#
