彭博社报道称,长江存储通过使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备、拓荆科技的沉积设备等,其自研Xtacking架构可让3D NAND的层数堆叠到232层。 2018年6月,武汉一厂投产,月产能为10万片12英寸晶圆,主要生产64层和128层3D NAND闪存。 2022年底,武汉二厂投产,月产能为20万片12英寸晶圆,主要生产128层和192层3D NAND闪存。 2030年,武汉新城科学岛长江存储三期项目将投产,设计月产能为30万片12英寸晶圆,最终将使长江存储的总产能达到100万片晶圆/月。
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