“中国永远造不出光刻机！”9年前年中科大副院长朱士尧认为美国造不出来光刻机，中国更难，而之后4年前中国工程院院士吴汉明也说造光刻机不现实，为啥这些学者对自己这么没信心？我们是真造不出吗？ 一台EUV光刻机包含10万多个精密零件，涉及光学、材料、真空等4000多项专利，需要全球5000多家供应商协同作战。 荷兰ASML的成功，本质是整合了德国蔡司的镜头、美国Cymer的光源、日本信越化学的光刻胶等顶尖技术。朱士尧的判断，正是基于这种全球化协作的不可复制性——即使科技霸主美国，也无法独自完成光刻机的全产业链布局。 吴汉明的担忧则聚焦于现实困境。2021年，中国半导体设备国产化率不足3%，光刻机核心部件如双工件台、物镜系统几乎完全依赖进口。 他在采访中坦言：“光刻机不是靠砸钱就能突破的，需要数十年技术积累。”这种“悲观”，实则是对盲目冒进的警示。 当学者们泼下“冷水”时，中国工程师们正以“愚公移山”的精神啃下硬骨头。2024年9月，工信部一纸通知震惊世界：国产氟化氩光刻机（ArF）正式列入《首台（套）重大技术装备推广目录》，分辨率达65纳米，套刻精度≤8纳米。 这意味着中国在DUV（深紫外）光刻机领域实现了从无到有的突破，与ASML的TWINSCAN XT:1460K处于同一技术水平。 这场突破背后是长达18年的“02专项”攻关。上海微电子作为主力军，联合中科院光电所、清华大学等200多家单位，攻克了双工件台、浸没系统等核心技术。 2023年，其研发的SSA800光刻机已在长江存储实现28纳米芯片量产，打破了ASML的垄断。 更令人振奋的是，中国在EUV领域悄然布局。2024年9月，上海微电子申请的EUV光刻机专利进入公示阶段，采用激光诱导放电等离子体（LDP）技术，绕开了ASML的LPP技术专利壁垒。 与此同时，中科院研发的全固态DUV光源技术，通过Yb:YAG晶体产生193纳米激光，在实验室环境下实现了3纳米制程的光刻精度。 这些创新，正在改写光刻机的技术规则。正如ASML前CEO彼得·温宁克所言：“如果中国被切断供应链，反而会加速自主创新。” 当中国光刻机取得突破时，朱士尧的态度发生了微妙变化。2024年12月，他在抖音视频中表示：“我们要为中国光刻机的巨大进展感到自豪。” 这种转变，折射出学者对技术发展的客观判断——当年的“唱衰”，是基于2016年的技术现实；如今的肯定，则是对中国速度的认可。 吴汉明则始终保持着清醒。他在2021年提出“本土可控的55纳米比进口7纳米更有意义”，强调成熟制程的战略价值。 这种观点在华为“备胎计划”中得到验证：当EUV光刻机被禁运时，中芯国际的14纳米芯片支撑起了国产设备的“底线”。 两位院士的思考，本质是对技术规律的尊重。光刻机的突破需要时间，但中国的努力已让“不可能”逐渐变为“可能”。 从朱士尧的“唱衰”到吴汉明的“现实论”，再到中国工程师的“倔强突破”，这场光刻机之争揭示了一个真理：科技进步从来不是线性的，而是在质疑与探索中螺旋上升。 当ASML的EUV光刻机仍在“卡脖子”时，中国已在DUV领域实现领跑，并在EUV之外开辟了新赛道。 正如中科院团队所言：“我们不是在追赶别人的路线图，而是在绘制新的光刻宇宙。”这场静悄悄的革命，或将重塑全球半导体格局。 对此你们怎么看？
