【台积电A14制程曝光 比2nm更先进】台积电业务开发资深副总裁张晓强称,A14制程将坚持使用原有EUV光刻设备,不引入High-NA EUV光刻技术,仍有望达成性能等目标。A14为台积电1.4nm级半导体工程,性能超越3nm、2nm工艺。与N2(2nm)工艺比,A14相同功耗下速度提升15%或相同速度下功耗降30%,逻辑密度提升超20%。A14计划2028年投产,还有A14P等多种衍生版本。
中微半导体成功研发3nm刻蚀机
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【台积电A14制程曝光 比2nm更先进】台积电业务开发资深副总裁张晓强称,A14制程将坚持使用原有EUV光刻设备,不引入High-NA EUV光刻技术,仍有望达成性能等目标。A14为台积电1.4nm级半导体工程,性能超越3nm、2nm工艺。与N2(2nm)工艺比,A14相同功耗下速度提升15%或相同速度下功耗降30%,逻辑密度提升超20%。A14计划2028年投产,还有A14P等多种衍生版本。
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