[微风].荷兰光刻机巨头ASML表示，现在在美国的技术封锁下，中企想获取EUV光刻机几乎不可能了，但是中国一直没有放弃，研发投入每年增速超过20%。 表面上看，荷兰和美国步调一致，可内部并非没有裂痕。荷兰政府顾虑重重，毕竟中国市场占了阿斯麦相当一部分订单。阿斯麦公司自己也明白，光靠一个市场无法支撑未来。 如果中国真的把EUV光刻机造出来，他们再想拿回市场就难了。这种复杂的利益关系，让封锁联盟的内部逐渐出现了分歧。 在这种环境下，中国的科研团队重新规划了路线。他们没有走“先买零件再组装整机”的老路，而是从零开始，对整机、核心部件和材料同时展开攻坚，光源系统是解决突破口之一。 阿斯麦用的是激光打锡滴的LPP光源技术，层层专利几乎把外人拒之门外。中国科研团队绕开这条路，采用了电极放电的LDP方式，让结构更简单，成本更低。 基于这项新技术造出的原型机每小时能处理250片晶圆，性能上甚至比阿斯麦的同等级产品还要快。 除了光源，另一项关键突破来自清华大学团队的双工件台研究。这项技术的难点在于要同时实现速度和稳定度的极高配合。 国外的专利几乎把所有细节锁死，而清华团队选择了最难的路，从头研究，开发出了气磁浮架构，完全绕开了技术封锁。 后来的华卓精科将这种技术产业化，还自主攻克了所需的堇青石陶瓷材料。这一步，比模仿更难，却让整个体系变得更稳。 上海微电子在光学镜头上实现了新突破，它生产的SSA800/10i光刻机，镜头畸变率控制在2纳米以内，已经达到国际主流水准。 光刻胶的国产化进度也在加快，能支撑14纳米制程芯片生产。过去依赖进口的测量系统，如今也能做到自研外差式技术，精度更高、成本更可控。 上海微电子、西安的设备制造厂、华为的研发团队，还有中科院的研究机构，都在不同领域互相配合。 国家在战略层面整合力量，企业在应用层面对接需求，每一个环节都紧密相连。这样一来，即便美国限制单台机器，中国也能靠完整产业链逐步补上缺口。 2024年，中国依然需要靠传统的DUV光刻机进行多次曝光生产7纳米芯片，良品率低、成本高，这是不得不承担的代价。但这种压力并没有让产业后退，反而成了倒逼创新的动力。 到了2025年，中国的EUV光刻机原型机已经投产，关键部件国产化率超过一半，甚至有企业开始布局3纳米工艺。 阿斯麦的首席执行官曾说过，中国距离EUV光刻机的成熟还有很长一段路。话没错，但他忽略了速度。当外部市场被堵死时，中国的道路反而变得更加清晰。
