快讯！快讯 一则好消息 我国在光刻胶领域取得重大突破！ 财联社10月26日电，近日，北京大学彭海琳教授团队联合清华大学、香港大学科研力量，在《自然·通讯》发表的光刻胶技术成果，让中国在这一半导体核心材料领域实现了从追赶到引领的关键跨越。 这项通过冷冻电子断层扫描技术解析光刻胶微观结构的创新，不仅直接解决了先进制程芯片的良率难题，更重构了高端光刻胶的研发逻辑，打破了日本企业数十年的技术垄断。 光刻胶是芯片制造的“精密画笔”，芯片上比头发丝细千倍的电路，全靠它“印”出来。 过去几十年，全球高端光刻胶市场一直被日本东京应化、信越化学等企业掌控，他们从上个世纪六十年代就开始布局，靠着长期积累的工艺经验和封闭的产业生态，占据了全球90%以上的高端市场。 韩国曾在2019年遭遇日本出口限制，花了三年时间才实现部分产品量产，足以见得打破垄断的难度。 而彭海琳团队的突破跳出了传统模式，他们用一种类似“微观透视”的技术，直接看到了光刻胶分子在液体中的行为，找到缺陷根源后，12英寸晶圆的光刻缺陷直接减少了99%以上，从技术攻坚到拿出产业化方案，只用了两年多时间。 企业的产业化进程和科研突破形成了紧密配合，多个关键节点见证着国产替代的加速。 2024年11月，久日新材的4500吨光刻胶项目进入试生产，其中半导体光刻胶产能达500吨，多款产品通过客户验证并正式供货。 这家企业从上游原料就开始布局，锁定了光刻胶核心原料的关键来源，让产品成本比进口同类低20%以上。 南大光电的进展同样亮眼，2020年底其自主研发的ArF光刻胶通过客户认证，成为国内首款该类型产品，到2025年产能已提升至500吨，稳定供应中芯国际、长江存储等头部企业，7nm制程产品也进入了最终验证阶段。 恒坤新材则在12英寸晶圆用光刻胶领域站稳脚跟，KrF光刻胶累计供货超3600加仑，更高端的ArF浸没式产品也通过验证开始小规模销售。 对比日本企业动辄十几年的产能扩张周期，中国企业的推进速度让人瞩目。 政策与资本的精准支持，为产业突破铺平了道路。2024年5月，国家集成电路产业投资基金三期成立，专门划出288亿资金支持半导体材料研发，重点聚焦先进制程的量产突破。 2025年初，这笔基金完成首批投资，大量资金流向光刻胶产业链。 地方层面的支持同样务实，上海2025年出台的政策规定，晶圆厂采购认证通过的国产光刻胶可享受10%补贴，单家企业一年最多补5000万元，直接拉动头部企业的国产光刻胶采购量增长80%以上。 资本市场也迅速响应，截至2025年10月下旬，已有5只光刻胶概念股当月融资净买入超1亿元，资金的集中涌入，反映出市场对国产光刻胶产业化的信心。 技术突破的延展性让国产光刻胶具备了长远竞争力。彭海琳团队的“微观透视”技术不仅适用于现有产品，还能直接用到更先进的EUV光刻胶研发中，而这一领域此前完全被日本企业垄断。 2025年9月，无锡启动国内首个EUV光刻胶中试线，重点攻关5nm以下制程材料，预计2026年就能完成客户导入。 上游原料的突破也在同步推进，2025年7月，八亿时空建成国内首条百吨级KrF光刻胶树脂产线，英特美自主研发的高纯度原料实现量产，成本比进口产品降低30%，第四季度将启动小批量试产。 从基础研究到原料供应，再到终端产品，国产光刻胶的全产业链布局正在成型。 随着中国企业的崛起，日本企业的优势正在逐步被稀释。信越化学2024年光刻胶业务毛利率已降至38%，而久日新材同期毛利率达到42.58%，成本优势让国产产品在市场竞争中更有韧性。 2024年我国光刻胶市场规模同比增长42.25%，成为全球最大市场，庞大的本土需求为技术迭代提供了天然的试验场。 晶圆厂在验证国产光刻胶时，会提供宝贵的测试数据并提出优化建议，这种“研发-验证-迭代”的良性循环，让国产产品的性能快速提升。 当然，国产光刻胶的发展仍有短板，目前ArF浸没式光刻胶国产化率还不足15%，EUV光刻胶商业化也还需要时间。 但从2020年南大光电通过ArF认证，到2025年北大团队实现底层技术突破，再到多条量产线落地，中国用五年时间走完了发达国家数十年的路。 这种跨越背后，是科研、产业、政策的同频共振，也是中国制造业向高端化转型的生动缩影。 信息：早报光刻胶领域，我国取得新突破；茅台集团换帅 2025-10-26 07:11·财联社
