中国顶级存储芯片制造商长江存储将建设第三座工厂，目标2027年投产——《日经新闻》中国 NAND 闪存芯片龙头企业长江存储科技有限责任公司（YMTC）已启动第三座工厂的建设。据《日经亚洲》了解，这家被列入美国实体清单的公司正借助国产化努力和人工智能热潮带来的国内需求激增推进扩张。三位知情人士表示，长江存储已在中国中部武汉启动第三座工厂的建设，计划2027年投产，同时正在提升第二座工厂的产能。作为中国主要的 NAND 闪存芯片制造商，该公司已稳步扩大市场份额，尽管仍主要专注于国内市场，但很可能在两年内成为全球第五大甚至第四大生产商（按产能计算）。两位消息人士告诉《日经亚洲》，长江存储还考虑扩展至动态随机存取存储器（DRAM）芯片的生产，这是构建广泛用于人工智能数据中心的高带宽存储器（HBM）的基础。DRAM 和 NAND 闪存均是数据中心、计算机、智能手机及其他电子设备的关键组件。NAND 生产长期由少数供应商主导，包括三星电子、铠侠控股、闪迪、SK 海力士、美光以及 Solidigm。在全球科技公司竞相确保关键组件和存储芯片之际，业界担心人工智能基础设施的大规模增长可能造成新的供应链限制，长江存储的扩张计划应运而生。根据研究机构 Omdia 的估算，长江存储2025年的资本支出比全球同行更为激进，约占全球 NAND 闪存总投资的20%，预计还将继续加速。行业高管告诉《日经亚洲》，如果扩建按计划在未来两年内完成，该扩张计划可能帮助长江存储明年获得超过10%的全球市场份额（按产能计算），并有望超越美光成为全球第四大厂商。2025年，长江存储的全球产能份额约为7%至8%。然而，根据 Omdia 的数据，就收入市场份额而言，截至2025年第二季度，长江存储占全球总量的比例不足5%。苹果已于2022年完成了对长江存储 NAND 闪存产品的验证，为中国这家存储芯片制造商成长为全球顶级供应商铺平了道路。然而，长江存储于2022年因安全问题被列入美国所谓的"实体清单"，严格的出口管制以及失去外国技术支持严重扰乱了其生产和技术开发。据《日经新闻》率先报道，苹果随后迫于日益增大的地缘政治压力放弃了长江存储的产品。不过，在过去两年中，长江存储努力替换受限制的制造工具和材料，并在国内半导体设备制造商中微公司（AMEC）的支持下，在克服关键技术障碍——特别是在刻蚀工艺方面——取得了进展。这些突破使该公司能够在无法获得泛林集团（Lam Research）等美国领先设备的情况下继续推进生产。中国已拥有一家领先的 DRAM 制造商长鑫存储技术（CXMT），目前是全球第四大厂商，仅次于三星、SK 海力士和美光。人工智能数据中心的建设热潮推高了对 DRAM 的需求，因为 AI 服务器需要使用 DRAM。据《日经新闻》此前报道，长鑫存储正在为本土人工智能需求建造 HBM，因为这类组件属于美国出口管制范围。这家中国公司已退出较成熟且技术较落后的 DDR4 级别 DRAM，并力争向更先进的 DDR5 级别迁移，大多数领先制造商都在该级别上构建 HBM。
