路透社报道，中国在极紫外（EUV）光刻机自主研发领域取得了里程碑式的重大突破。中国EUV光刻自主研发获重大进展由前ASML工程师团队领衔、中国政府主导的“曼哈顿计划”式科研攻关已取得突破性成果，首台国产EUV光刻原型机已在深圳高度保密的实验室中完成组装并投入运行。该原型机已能成功产生极紫外光（EUV辐射），这是制造5nm及以下先进AI芯片的核心门槛。该项目深度整合了华为及国内顶尖科研资源，采取了高度保密的军事化管理模式，涉及芯片设计、制造设备、生产流程的每一个环节。此次突破标志着中国在先进半导体设备领域的技术代差已大幅缩短（从五年前的四代缩短至目前的约12个月差距）。这一进展打破了西方在高端光刻技术上的长期垄断，是实现半导体产业链完全自主可控的关键一步。
