【台湾考虑对台积电实施出口禁令，阻止其在美国制造最新芯片制程节点】据中央社报道，台湾当局担忧台积电进军美国可能削弱台湾在半导体领域的领导地位，正考虑制定新出口规则，规定全球最大晶圆代工厂只能出口落后其尖端制程两代的技术。若该政策实施，可能放缓台积电在美国的扩张步伐，因其目前正大力在美国建设先进晶圆厂。新出口政策的核心是政府提出的"N-2规则"，即仅允许将落后于台湾尖端工艺两代的技术部署到海外。此前台湾当局坚持"N-1规则"，允许台积电出口所有至少落后尖端制造工艺一代的技术。新框架大幅收紧限制：根据不同代际计算方式，台积电可能仅能出口落后其顶尖技术两代甚至四代的制程节点。国家科学技术委员会副主任林发诚指出，按此标准，若台积电在本土研发出1.2纳米或1.4纳米级制程，则仅其1.6纳米级产品可获准海外使用。目前，台积电位于亚利桑那州的Fab 21一期工厂已具备采用N4/N5制程技术（同属一代工艺）生产芯片的能力。在本土，台积电拥有数座已全面投产的3纳米级制造工艺晶圆厂（N3B、N3E、N3P等），并即将启动2纳米级N2制程芯片的量产。从技术层面看，台积电Fab 21一期已符合N-2规则。然而，当台积电于2027年在Fab 21二期投产3纳米级芯片时，该厂将不符合N2-2规则——因为N3工艺在形式上仅落后于N2/N2P/A16一代。尽管A16属于配备背面供电网络的N2P工艺，但若将其视为全新世代，则Fab 21二期仍符合新版高科技出口框架要求。林志明同时强调，台积电绝大多数研发人员仍驻守台湾，其研发布局符合当局要求。这种工程师与科学家的集中配置，确保了未来工艺研发仍以本土为根基——即便公司在海外建设制造基地与研发中心。他特别指出，半导体行业所有合格从业人员均受监管审查，知识产权与硬件保护已延伸至人力资本领域。此外，经济部门的周育欣表示，台积电未来任何对美投资都将依据现行法律审查，超过特定门槛的项目必须经经济部投资审查委员会审核。
