一千瓦微逆1200V场效应管选型：AGM07N120H 1200V 2.3Ω 6.2A TO-263 概述 AGMO7N120H将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的RDS（ON）。 该设备是负载开关和电池的理想选择 保护应用。 ·特点 □先进的高单元密度沟槽技术 □低RDS（ON），以最大限度地减少导电损失 □低栅极电荷，实现快速切换低热阻 B 100%雪崩测试 □ 100% DVD测试 ·应用程序 □MB/NGA Vcore □SMPS第二同步整流器 □POL应用程序 □BLDC电机驱动器
