【三星第9代V-NAND QLC量产时间或推迟】据TrendForce报道，多个消息源的信息表明，三星第9代V-NAND QLC闪存存在设计缺陷，导致出现性能问题，三星不得不将大规模生产的时间延后，推迟到2026年上半年。作为对比，上个月SK海力士宣布已开发出321层2Tb QLC NAND闪存产品，并开始量产。这是全球范围内首个300层以上的QLC NAND闪存，在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，计划2026年上半年正式进入AI数据中心市场。也就是说，三星第9代V-NAND QLC闪存即便在明年上半年实现量产，大概率技术方面还是落后于SK海力士。 而在今年初，三星展示了即将发布第10代V-NAND闪存，总层数超过了400层，但是至今没有提供具体的量产时间表。
