国产光刻机形势一片大好！现在消息可以公开说了
9月24日证券时报《国产光刻机，爆发元年！600895，历史新高，这些潜力股要起飞》：
“国金证券表示，上海微电子以及芯上微装各自都展出重磅产品，背后对应的是今年产业端重磅的“0—1”突破，先进封装机台正式量产、干法DUV近期将进入量产测试阶段、国产EUV进入原理机搭建阶段（本次展出为EUV概念验证机），国产光刻机产业进入爆发元年。”
“根据华鑫证券研报，在国家政策支持下，国内企业加速研发突破光刻机制造技术，目前国产光刻机在90nm及以下工艺节点方面取得了重要进展。例如，上海微电子自主研发的600系列光刻机已实现90nm工艺的量产，并正在进行28nm浸没式光刻机的研发工作。近期，宇量昇与中芯国际的合作测试是国产光刻机突破的重要信号。”
这些消息都可以公开说了，符合我一直以来的认知，正面宣传就好了，不需要低调了。
第一个重大进展，先进封装机台正式量产。这是指芯上微装（AMIES，上海微电子的子公司）的晶圆级先进封装步进光刻机。8月8日AMIES高调宣布第500台步进光刻机交付给盛合晶微，明确称为“先进封装光刻机”，并给出全球市占35%、国内市占90%的量产数据。如对标国外先进封装光刻机，指标可能是1µm线宽以及300nm套刻精度。
第二个重大进展，干法DUV近期将进入量产测试阶段。这应该是指65nm，配合2024年工信部《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》推出的“国产氟化氩干法 DUV 光刻机”，标定制程就是65nm制程。这款光刻机是ArF光源，干式机型，套刻精度8nm、NA≈0.75。2024年推出，看来已经试产成功了，今年将要在晶圆厂开始量产验证。如能完成，将是国产光刻机的巨大突破，量产成功！这将实现国产DUV光刻机真正的产业闭环应用。
第三个重大进展，国产EUV进入原理机搭建阶段。这是指9月23日工博会现场，上海微电子SMEE展出了EUV光刻机参数图（展板）。这个不太清楚，EUV也在搞的意思，就和原子弹没成功之时，氢弹预研就先干起来了。
第四个重大进展，SMEE正在进行28nm浸没式光刻机的研发工作，宇量昇与中芯国际的合作测试是国产光刻机突破的重要信号。这应该是说DUVi浸没式光刻机也开始测试了，测试通过，就可以和干式机一样，进行量产测试了。测试1年，量产良率爬坡2年是正常时间节奏。
非常好，这些公司的进展都可以说了，以前都保密，就瞎猜。几条路线同时在前进，国产DUV干式光刻机量产65nm已经在试了，终于冲刺量产了。希望能在2028年突破28nm芯片量产。如28年能用国产光刻机量产28nm芯片，就是很好的技术进展，虽然技术难度很大，但可以乐观一些。
以前不能说光刻机到底什么进展，出来的都是谣言。现在因为真的做起来了，就不低调了。几大进展都很好，28nm都看到希望了。解决了28nm，再来7nm就只是时间问题。现在可以说，28nm只是时间问题了，终于可以不用依赖ASML光刻机了。等待调试和良率爬坡的期间，就用囤积的ASML光刻机顶住，所以芯片问题底气好多了。
