英媒：中国对现有ASML光刻机进行升级，提升制造国产7nm芯片效率 据英媒《金融时报》报道，中国晶圆厂通过对存量ASML DUV光刻机（如Twinscan NXT:1980i）做自主子系统升级，以DUV+多重曝光实现7nm芯片稳定生产，良品率与效率显著提升，这是在西方出口管制下的关键突围。 一、核心做法（挑战-应对-突破） - 封锁困境：ASML受美荷出口管制，仅能提供基础维护，无法提供技术升级与先进DUV/EUV；老设备老化带来定位偏移、热漂移、震动问题，多重曝光误差累积，导致7nm良率低、废片高。 - 自主升级：更换高精度传感器、优化晶圆台与透镜、加补偿系统、调整算法，把对准误差从±2nm压到±1.5nm，良率提升约8%，减少废片、提高吞吐量。 - 关键突破：在不改动曝光波长与核心光学系统前提下，通过非美系零部件替换+系统级优化，把旧DUV潜力挖到极致，支撑AI与先进手机芯片产出。 二、关键细节与意义 - 涉及机型：以ASML NXT系列浸润式DUV为主，中芯国际等企业已应用于7nm产线。 - 核心短板：DUV+多重曝光成本高于EUV，但在封锁下是当前最可行路径；国产零部件替代加速，2025年相关占比预计达31%，部分光学元件可应急替代。 - 战略价值：这是中国在“无EUV可用”下的效率最大化方案，既稳住先进制程产能，也倒逼设备维护、耗材与算法的自主能力，为国产DUV成熟争取时间。 三、简要总结 这不是简单维修，而是体系化挖潜：用工程优化对冲设备代差，把西方“卡脖子”的压力，变成自主迭代的动力，实现7nm芯片制造的效率突围。
