14英寸 碳化硅 原生晶锭
3月11日，天成半导体通过官方微信公众号发布消息，依托自主研发设备，该公司成功研制出14英寸碳化硅单晶材料，其有效厚度达到30毫米。这是继2025年实现12英寸碳化硅单晶技术突破后，天成半导体在大尺寸碳化硅材料领域取得的又一进展。
2025年，天成半导体已掌握12英寸高纯半绝缘和N型单晶生长的成熟工艺，其中12英寸N型碳化硅单晶材料的晶体有效厚度突破35毫米。彼时，这项技术成果主要面向新能源汽车、AR眼镜光波导以及AI芯片先进封装中介层等下游领域，旨在满足终端市场对碳化硅材料“降本增效”的迫切需求，适配相关场景对高性能、大尺寸半导体材料的应用要求。
此次研发的14英寸碳化硅单晶材料，主要应用于碳化硅部件的生产。碳化硅部件是以碳化硅及其复合材料为核心的设备零部件，具备密度高、热传导率高、弯曲强度大、弹性模量大等特性，能够适应晶圆外延、刻蚀等半导体制造环节中强腐蚀性、超高温的恶劣反应环境。 目前，碳化硅部件的全球市场主要由韩国、日本、欧洲等地区的供应商占据垄断地位。国内企业在该领域的技术突破，长期以来面临着材料制备、工艺稳定度等多方面挑战。天成半导体14英寸碳化硅单晶材料的研制成功，打破了大尺寸碳化硅材料技术的部分壁垒。 从产业应用来看，碳化硅部件广泛应用于等离子体刻蚀、外延生长、快速热处理、薄膜沉积、氧化/扩散、离子注入等半导体制造核心环节的设备中，是半导体产业链上游关键的基础部件之一。天成半导体在大尺寸碳化硅材料领域的持续突破，为国内碳化硅部件产业的自主化发展提供了材料层面的支撑。
天成半导体在碳化硅大尺寸技术赛道上的接连突破，标志着国内企业在该领域的技术实力逐步提升，也为全球碳化硅半导体产业的格局带来新的变量。后续，随着相关技术的进一步成熟与产业化落地，有望推动国内半导体设备上游部件的自主可控进程。本文内容基于天成半导体官方微信公众号公开信息整理，所有技术细节与产业背景均有明确信息来源支撑。
