她才是中国真正的超级巨星，终生未婚，将自己的一生都奉献给了祖国！ 林兰英全身心投入半导体材料研究。当时国内条件简陋，实验室只有十几平方米，几张桌子挤在一起，但她带领团队从零开始。1957年11月，中国第一根锗单晶拉制成功；1958年国庆前夕，中国第一根硅单晶问世，使我国成为世界上第三个能生产硅单晶的国家。随后她组织设计开门式单晶炉，解决真空保持和籽晶旋转难题，1960年代初炉子研制成功，先后生产70多台，满足国内需求并出口。她还推动区熔硅和硅外延工艺，为我国第一颗人造卫星提供高品质硅单晶材料。 1960年半导体研究所成立，林兰英任材料研究室主任。她把目光转向化合物半导体，1960年起重点研究砷化镓。砷化镓熔点高、砷有剧毒，国外许多研究者曾放弃，但她看到其在微波和光电子器件上的潜力。团队反复试验，克服爆炸和毒性难题，1962年拉制出第一根砷化镓单晶，1964年底研制出我国第一只砷化镓二极管激光器。后来她又主持高纯气相和液相外延砷化镓研究，电子迁移率等指标达到国际先进水平。 1980年，林兰英当选中国科学院院士。此后她担任中国科协副主席、全国人大代表和常委会委员，还作为第四次世界妇女大会中国代表团成员，积极提倡男女平等。她结合自身经历，多次在学校和媒体上强调，妇女平等首先体现在贡献上，要自尊自强，通过出色工作赢得社会认可。她支持妇女教育，鼓励女科技工作者克服困难，坚持科研。 1980年代初，她组织消除硅单晶漩涡缺陷研究，使成品率提高到80%，为16K和64K大规模集成电路研制提供材料。1987至1990年，她利用我国返回式卫星三次成功进行砷化镓单晶太空生长实验，成为世界上最早实现熔体法太空生长砷化镓单晶的科学家。这些成果直接用于卫星激光器和国防领域。她还推动蓝宝石衬底硅外延等新型材料研究，为微电子和光电子学发展奠定基础。她的多项成果获中国科学院科技进步一等奖、国家科技进步二等奖和三等奖，1996年获何梁何利科技进步奖，1998年获霍英东成就奖。 林兰英的贡献，让我国半导体材料从无到有、从落后到接近国际水平。她用一生的坚守告诉世人，真正的科学家就是这样，把祖国需要放在首位。她的故事激励着一代代科研工作者，在新时代继续为科技自立自强努力。
