#芯片以后可以不用铜和硅# IEDM （国际电子器件大会），被誉为半导体领域的“奥林匹克盛会” ，会汇集业界巨头（英特尔、台积电、三星、IBM等）和各大顶尖高校，坐在一起头脑风暴。芯片未来怎么发展，很大程度上都得看这个会上都聊了啥。差评君就带大家理理最近的IEDM 2025上都有哪些新方向。
首先，最近两年在IEDM上被反复提及的一个议题是，芯片里头的导体：铜要顶不住了。大佬们已经开始讨论用钌金属 （Ru） 去代替现有的铜作为互连材料。imec （比利时微电子研究中心） 展示了在16nm间距下实现的两层钌互连结构，并在300mm晶圆上取得了95%以上的良率。
另一个重要议题，就是用二维过渡金属硫化物（2D TMDs）去替代原本硅的沟道材料。目前更多的还是在原型研究阶段，因为2D TMDs材料的生长工艺容易把栅极搞坏，过于薄的材料后续也更容易翘边，还得解决低阻接触等等问题，后面要大规模量产还得再沉淀沉淀。
还有一个被越来越频繁提起的新方向就是台积电等巨头反复押注的 CFET（互补场效应晶体管）。相比过去的晶体管密度横向发展、在土地上建平房的方式， CFET的思路，则更像是平地起高楼，通过垂直叠加晶体管的方式，利用三维空间提高晶体管密度。
这些技术讨论也只是IEDM上的冰山一角。在每年的会议里，有人研究材料，有人研究工艺，也有人反复推翻自己前面的结论，再从头来过。每一篇论文背后，都有无数次失败、争论和推倒重来，凝聚着工程师们的心血。某种意义上，这就是属于电子工程师的“群星闪耀时” 。
