美国最怕的事情发生了！81岁国产芯片设备巨头中微公司董事长尹志尧，放弃美国籍，恢复中国籍，带队攻克2纳米刻蚀机！外媒：“在刻蚀这个核心环节，中国已经坐上全球牌桌！” 尹志尧1944年出生在北京，早年展现出很强的学习能力。1962年进入中国科学技术大学化学物理系，毕业后有过一段实际工作经历。1980年代初他去美国加州大学洛杉矶分校读物理化学博士，三年半就完成学业拿到学位。 毕业后他直接进入硅谷核心企业，先在英特尔做工艺工程师，后来转到泛林半导体，再到应用材料公司做到高层。几十年下来，他参与开发了多代等离子体刻蚀设备，手里握着上百项美国专利。这些技术广泛应用在全球半导体制造里，很多设备都离不开他的贡献。 2004年，60岁的尹志尧决定回国。那时候中国半导体设备几乎全靠进口，三家外国公司占了九成市场。他带了十多位硅谷同事，在上海创办中微半导体设备公司，主攻刻蚀和薄膜沉积设备。从零开始搭建团队，初期条件有限，但他们一步步攻克等离子体控制、腔体设计这些关键难题。 创业头几年特别艰难。刻蚀机涉及真空、射频、材料等多学科，外国公司技术封锁严格。中微团队花大量时间做实验，测试不同参数组合，逐步提升设备稳定性和精度。2007年他们做出第一台国产高端刻蚀机，实现了28纳米工艺应用，打破了国内零的记录。 随着时间推移，中微技术不断进步。2018年5纳米刻蚀技术取得突破，甚至获得台积电验证和试用。这让行业看到国产设备的潜力。之后公司持续迭代，7纳米设备实现量产稳定，国产化率逐步提高到较高水平。下游客户如中芯国际、华虹等开始大规模采用。 2024年公司业绩亮眼，全年营收超过90亿元，刻蚀设备业务增长超过50%。这反映出市场需求旺盛，也说明技术竞争力在增强。中微已经成为国内刻蚀设备龙头，全球排名进入前四。 最近中微在先进节点上又有新进展。2025年左右，ICP双反应台等离子刻蚀机精度达到0.1纳米级别，达到全球先进水准。部分报道提到2纳米相关技术指标已能满足前沿需求。这意味着中国在刻蚀核心环节的自主能力大幅提升，不再完全依赖进口。 与技术突破同步，尹志尧本人做出了重要决定。2022年公司年报显示他还是美国国籍，到2024年年报已变更为中国国籍。2026年初相关消息公开，他正式放弃美国身份恢复中国籍。手续通过正常渠道完成，期间涉及税务事项，他计划减持部分股票用于依法缴税，金额可能接近1亿元。 这个选择发生在中美科技竞争加剧的背景下。美国加强出口管制，对美籍人员在中国半导体领域活动有更多限制。尹志尧的行动被看作对这些压力的回应，也体现了长期投入中国产业的决心。 中微公司因此受益。公司培养出上千名本土工程师，专利积累丰富。设备出货量持续增加，覆盖逻辑芯片和存储器多个领域。国产替代进程加快，客户采购成本降低，供应链安全性提高。 从更广角度看，这件事影响芯片产业格局。过去中国刻蚀设备市场份额很小，现在中微等企业逐步抢占空间，外国巨头面临竞争压力。国内晶圆厂能更稳定获得设备支持，推动整体产业链发展。 外媒也注意到这些变化。一些报道指出中国在刻蚀领域从追赶者变成有竞争力的参与者，关键技术突破让产业自主性增强。路透社等媒体提到中国设备进步对全球供应链的意义，承认中国已具备在高端环节发力的能力。 当然，挑战依然存在。先进工艺仍需持续投入，材料和零部件国产化还有提升空间。但中微二十多年的积累显示，坚持研发能带来实质进展。
