国产半导体新节点动态
5nm对国内来说，是非常有意义的一个节点。 一方面代表着DUV时代的极致，另一方面也代表着国内除光刻机以外，核心设备的能力已经达到国际的领先水平。
半导体这个行业很有意思，一方面国外的月亮比较圆是一个根深蒂固的思想，在投资圈也比较普遍。国内很多时候都是在不断循环着一些事情，能在国内把一件事做好是很不容易的，一方面要经历市场的淬炼，要经历残酷的竞争，还要经历外界的精神压力，能抗住所有压力最终把产品做出来并且做大的公司，那都是佼佼者。
Fab厂的商业模式很简单也很残酷，谁能先量产更先进的制程，谁就能拿到最优质的客户订单和最大的利润。逻辑和存储都一样，先做出来的吃肉，剩下的喝汤。所以头部这几家Fab厂每天拼了命的只为一件事：突破、扩产。 技术一旦突破，就到了国内最擅长的扩产。
如果不是对面这些年大举进行半导体设备制裁，对于基建狂魔来说，国内怕是已经遍地Fab了。对于国内5nm的信息，网上非常少，而且假消息居多，所以普通人可以说完全不了解情况。大部分人都是跟着情绪在股市里面折腾，网上能曝光出来的消息，一般是滞后半年到一年的时间。
没办法尽数其中的细节，这里面包括国产光刻机的验证，包括各路国产设备的验证。明年的量产线里面，这些光刻机以外的设备都会悉数登场。
5nm的量产，可以释放一批7nm的产能出来给大芯片，把目前国内主要都是用12nm代工的这些大芯片制程往上提一大截。新手机的性能也会相比7nm得到优化，对于消费者来说喜闻乐见。
海外的2nm以台积电为代表，2026年开始量产，这也是台积电首次使用GAAFET架构，取代FinFET，架构的升级对于性能提升和功耗优化都是非常明显的。
国内在GAA方面也在开发，当然从时间点上来看，国内还落后几年，但是这相比过去落后十年以上，已经有了巨大的进步。当一些人努力把差距从几十年缩短到几年，一方面付出的努力值得掌声，另一方面他们的能力已经得到了证明。
存储3D架构的进展国内甚至更快，相比海外把资源集中在使用EUV做平面极限提升，国内因为拿不到EUV，反而把更多资源投入到3D架构的研发，两长在3D方面的进展已经积累很深，海外几家反应过来的时候，在某些专利和技术方面，已经在时间点上处于落后。3D DRAM里面，光刻机不再是限制瓶颈，刻蚀+薄膜的支出占比会占到70%以上，这也是国内最擅长的设备环节。
2026年好玩的东西越来越多了。
