为应对西方围堵和控制，中国在半导体领域取得了哪些突破性进展与成绩？ 中国把“材料＋设备”一起写入国家科技重大专项，在日本“说了算”的环节里，已经打出一条“可替代—敢放量—正验证”的梯队突围路线。 中国在“日本说了算”的 14 类材料／设备里，已有 8 类形成“量产级”本土第二供应商，3 类（KrF 胶、刻蚀、去胶）开始反向出口，EUV 胶、ArF 胶、12 英寸硅片、28 nm 光刻机则处于“小批—验证—爬产”阶段。按照下游晶圆厂给出的替代路线图，2027 年成熟制程（28 nm 及以上）综合国产化率目标 70%，先进制程关键材料自给率目标 30%，足以在日美进一步收紧出口时，保住国内 300 mm 产能“不断链”。 1. 光刻胶：KrF 先站住、ArF 开始小批、EUV 布局前沿 - KrF：上海新阳、北京科华（彤程新材）通过中芯、长鑫验证并批量供货，国产市占率从 2023 年 15% 升到 2025 年 40%，成为“利润最快兑现”环节 。 - ArF：南大光电 28 nm 干式胶已在头部晶圆厂跑通多道工艺，开始小批量供应；北京科华、上海新阳湿法 ArF 同步客户验证，自给率预计由 2024 年＜10% 提升至 2025 年 ≥15% 。 - EUV：中科院化学所+龙头企业启动前沿项目，仍处实验室/小试，但已解决树脂单体、PAG（光致产酸剂）合成路线，目标是“先做出 1 kg 级样品”。 - 上游单体：华懋科技（徐州博康）KrF/ArF 级单体已规模出货，久日新材高端光引发剂进入验证，初步打破日本“单体—成品”捆绑式垄断 。 2. 硅晶圆与衬底：12 吋量产＋碳化硅“全球首发” - 沪硅产业 12 英寸大硅片通过中芯国际 14 nm 验证并稳定供货；立昂微 6/8 英寸市占率国内第一，12 英寸重掺片开始上量，2025 年国产 12 英寸硅片市占率已突破 25% 。 - 山东天岳 2025 年发布全球首款 12 英寸碳化硅衬底，实现 8→12 英寸连续扩径，加工良率 >65%，一举拿到车规、光伏逆变器“入场券”，在宽禁带材料赛道领先日欧 。 3. 关键制程设备：刻蚀/清洗/抛光全面“上量”，涂胶/光刻“啃硬骨头” - 刻蚀：中微 CCP 已用于台积电 5 nm；北方华创 ICP 覆盖 14 nm，2025 年国产刻蚀机在 28 nm 及以上节点市占率 35%，同比增 10 pct 。 - 清洗：盛美 SAPS 设备进入海力士、长江存储，国产 12 英寸单片清洗机市占率首次突破 30% 。 - CMP：华海清科 12 英寸抛光机批量用于中芯、长存，28 nm 工艺重复订单>50 台，迫使进口设备降价 10–15% 。 - 涂胶/显影：芯源微 ArF 浸没式涂胶显影机拿到 5 家国内客户订单，28 nm 节点实现国产“零的突破”，国产化率由 3% 提到 8% 。 - 光刻机：上海微电子 90 nm ArF 量产机稳定出货，28 nm 浸没式样机 2025 年完成总装，正内部跑片，目标 2027 年交付客户，届时可覆盖成熟制程 90–28 nm 主体需求 。 4. 耗材与零部件：靶材、石英、陶瓷、机械手“多点开花” - 超高纯靶材：江丰电子铝、钛、铜系列已进入台积电 5 nm 产线，2025 年全球市占率 12%，仅次于日美 。 - 石英制品：菲利华通过东京电子 TEL 认证，8/12 英寸线用量 60% 国产替代 。 - 陶瓷部件：中瓷电子氧化铝基板稳定供货，氮化铝陶瓷通过验证，2026 年有望替代日本 30% 份额 。 - 真空机械手：新松机器人进入中芯、华虹 28 nm 线，实现 6 轴真空机械手国产化率 55% 。
